P9160-4M Návod "ŽES Elektronika" - page 24

© 2013 Didaktik s. r. o.
22
2.2.1. Voltampérová charakteristika polovodičové diody
Materiál :
1 spojovací deska
1 sada modulů vedení
1 modul odpor 100 Ω
1 modul odpor 500 Ω
1 modul Si dioda
1 modul Ge dioda
6 spojovacích vodičů
zdroj elektrického napětí
2 měřící přístroje
Při následujícím pokusu najdeme vztah mezi použitým napětím a diodu velikostí proudu pro Si
diodu a Ge diodu.
Zapojení :
Proveďte podle schématu. Nejdříve se bude zkoumat chování Si diody. Je zapojena v
propustném směru. Rezistor s odporem 100Ω slouží jako ochrana diody. Použité napětí na diodě
se měří voltmetrem přepnutým na rozsah 3V=. Ampérmetr je nastaven na rozsah 30mA =.
1.pokus :
Pomalu zvyšujeme použité stejnosměrné napětí. Napětí na Si diodě měřené voltmetrem
bude mít postupně hodnoty uvedené v tabulce. Odpovídající hodnota proudu se zapíše do tabulky.
Napětí (ve V)
0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7
Proud (v mA)
…. . …. . …. . …. . …. . …. . …. .
Naměřené hodnoty vyneste do grafu a jednotlivé body spojte.
2.pokus :
Si dioda se zamění Ge diodou a rezistor s odporem 100Ω se nahradí rezistorem s
odporem 500Ω. Ge-dioda je zapojena také v propustném směru. Hodnoty napětí nastavujeme
postupně tak, aby voltmetr ukazoval hodnoty uvedené v tabulce. Naměřený proud se
zaznamenává do tabulky.
Napětí (ve V)
0,1 0,2 0,4 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6
Proud (v mA)
…… …… …… …… …… …… …… ……
Naměřené výsledky se opět zaznamenají do grafu a jednotlivé body se spojí.
1...,14,15,16,17,18,19,20,21,22,23 25,26,27,28,29,30,31,32,33,34,...113
Powered by FlippingBook